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| 基于混合SET/MOSFET的比较器 |
| 冯朝文 蔡理 |
中文摘要：
基于双输入单电子晶体管与MOSFET的混合结构I-V特性和数字电路的逻辑设计思想,提出了一种由5个双栅极SET和6个MOSFET构成的一位比较器电路结构。该比较器有以下优点:利用双栅极SET和 MOSFET构成逻辑块使电路结构大为简化;减少了管子的数目;电压兼容性好,驱动性能高;输入和输出高低电平都接近于1V和0V;静态总功耗低,为nW级。仿真结果验证了它的正确性。 |
| 关键字：单电子晶体管;双栅极SET;比较器;MIB模型 |
| 中图分类号：TN402 文献标识码：A 文章编号：1008-0570(2008)07-2-0290-03 |
作者简介：
冯朝文（1983-），男（汉族），山西运城人，硕士生，微电子学与固体电子学专业，主要从事单电子纳米器件的理论及应用，数字电路与信号处理研究。 |
| 页码：p290-292 |
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| [1]冯朝文，蔡理等．基于混合SET/MOSFET的比较器［J］．微计算机信息．2008，7-2：p290-292 |
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