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三星成功开发出50纳米16千兆半导体

时间：2005-9-15 来源：联合早报

　　据朝鲜日报报道，三星电子在世界上首次成功开发出了商用化50纳米技术的16千兆NAND闪存半导体。三星电子此次成功开发出的16千兆NAND闪存，利用相当于头发直径2000分之1的50纳米技术，该半导体内存芯片的容量相当于在指甲大小的芯片内集中164亿个集成电路。三星电子方面称，利用该芯片可制造32千兆内存卡，可以存储日报200年分量、DVD电影20部（32小时）、8000首MP3文件。

　　三星电子计划明年下半年开始批量生产16千兆NAND闪存，预计未来10年内将形成140亿美元规模的市场。今天，三星电子总管半导体项目的黄昌圭总经理在新罗酒店举行的记者座谈会上称：“去年成功开发出8千兆NAND闪存之后，今年又成功开发出集成度高2倍的16千兆半导体。”并预测：“因此，以后MP3、手机、电子辞典等搭载闪存的高容量数码设备市场将会爆发性地增长。”

　　黄昌圭还称：“人类在2千多前发明了纸，现在人类通过新的储存媒介——闪存掀起了第2次纸革命，开创了数码纸时代。在不远的将来，胶卷、磁带、硬盘等可携带的所有移动存储器最终将被闪存完全取代。”

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