纳米线及量子点等“量子纳米结构”的导入将给电子元器件带来新的进步。原东京大学教授、丰田工业大学副校长榊裕之在12月10日的主题演讲中这样展望。榊裕之以“Roles of Quantum Nanostructures on the Evolution and the Future Advances of Electronic and Photonic Devices”为题，介绍了上世纪70年代以后正式拉开序幕的量子纳米结构研究，以及近来带有现实意义的在电子元器件方面的应用。

　　备受期待的一维沟道FET

　　量子纳米结构是在纳米线（一维）及量子点（零维）等低维结构中封入电子及空穴的构造。如果在晶体管沟道中导入该结构，与沟道具有二维扩展的晶体管相比，可实现高载流子迁移度及低功耗。

　　量子纳米结构原来多被视为“物理学者的研究对象”，近来将其应用于元器件领域的讨论已正式展开。在以IEDM为首的半导体技术国际学会上，具备量子纳米结构的元器件以及CMOS领域相关应用的提案接连不断。采用一维量子纳米结构的碳纳米管FET以及硅纳米线FET就是其中的代表，美国英特尔及韩国三星电子等著名LSI厂商已开始展开大力开发。

　　量子纳米结构的研究以诺贝尔物理学奖获奖者江崎玲於奈以及榊裕之等组成的研究小组为中心，从上世纪70年代起在日本展开了先驱性研究。不过，“对产业界的应用展开讨论当时还太早”（榊裕之）。近来，由于现有的MOS FET的微细化已开始显露出极限，因此产业界对量子纳米结构的期待迅速升温。