随着IBM宣布其开发出高介电金属栅极材料制造技术，它距离发布其第一款32纳米微处理器更近了一步，该技术能减少芯片的晶体管产生的漏电，同时也缩小了芯片的整体规格。

　　据IBM的说法，第一款32纳米芯片将会在2009年下半年发布。IBM和5家合作伙伴一起(AMD、Chartered半导体公司、飞思卡尔公司、英飞凌公司和三星)于12月10日共同宣布此事。

　　IBM第一次宣布其正在采用高介电金属栅极材料技术是在2007年1月。大约在同一时间，英特尔开始深入研究其独有的基于金属铪高介电金属栅极材料的芯片开发技术，该技术随着名为Penryn的45纳米系列处理器的面市而首次展现。

　　高介电金属栅极材料技术的概念是，寻求减少漏电的方法，当晶体管闲置时这些电能就浪费了。当晶体管变得越来越小，芯片制造商开始寻找新的绝缘材料，以阻止漏电现象的发生。改良的绝缘体的成功之处在于，让性能更高的芯片保留了和上一代微处理器同样的热敏式封装外壳。

　　这种类型的微处理器在IT界非常重要，目前它越来越多地向移动设备发展，例如笔记本电脑、移动电话和掌上电脑。同时，消费者和IT用户正在寻找能够提供更高计算能力、连同电池寿命更长的设备。

　　据IBM的说法，新技术能够制造出只有原来的45纳米芯片一半大小的处理器，同时降低了45%能耗。

　　到目前为止，IBM及其合作伙伴已经开发了32纳米SRAM(静态随机存储器)单元，这在制造下一代处理器的过程中是非常重要的关键技术。这些合作企业也宣布，他们已经开发出了同样基于32纳米工艺的绝缘体上硅晶体技术，该技术有助于开发高性能应用。IBM已经在纽约East Fishkill的制造厂对新设计进行了测试。

　　虽然英特尔已经透露，它在制造过程中使用金属铪作为绝缘体，但IBM拒绝详细说明其高介电金属栅极材料技术的细节。

　　英特尔也在朝着32纳米微处理器发展，其产品也将于2009年推出。首先，公司计划在2008年以一个名为Nehalem的新的芯片系列更新其现有微架构。